HEXFET Power MOSFET The IRFBF30PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.7A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 10.8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5Ω (at V_GS = 10V, I_D = 1.35A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.0V (min) to 5.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220F (Fully Insulated)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Voltage Capability:** Designed for applications requiring up to 900V breakdown voltage.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Low Gate Charge:** Helps reduce switching losses.  
- **Fully Insulated Package (TO-220F):** Provides electrical isolation between the MOSFET and heatsink, eliminating the need for an additional insulating pad.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in inductive load switching.  
- **Applications:** Used in power supplies, inverters, motor control, and other high-voltage switching circuits.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.