IRFBF30

900V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFBF30 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.0A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 12A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 60pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 15pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The IRFBF30 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It features fast switching speeds and low gate charge, making it suitable for power supplies, inverters, and motor control circuits.

### **Features:**
- **High Voltage Capability (900V)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-220 Package for Easy Mounting**  

For detailed application-specific performance, refer to the official IR datasheet.

900V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package