900V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFBF20 is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** IRFBF20  
- **Transistor Type:** N-Channel  
- **Technology:** MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2 - 4 V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35 ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions and Features:**  
- The IRFBF20 is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management applications.  
- The TO-220AB package provides efficient thermal performance.  
- It is commonly used in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  
- The device is optimized for high efficiency and reliability in various power electronics applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

900V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package