900V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFBF20 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRFBF20  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.7A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 15A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 70ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **TO-220AB (Through-Hole Package)**  
- **3-Pin Configuration (Gate, Drain, Source)**  

### **Features:**  
- High voltage capability (900V)  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for improved efficiency  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Improved dv/dt capability  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- High-voltage inverters  
- Industrial applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRFBF20. For detailed performance curves and application notes, refer to the official IR documentation.

900V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package