HEXFET Power MOSFET The IRFBE30SPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 13A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.0V (min), 5.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 250pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 25pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 65ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRFBE30SPBF is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low gate charge and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power supplies, inverters, and motor control circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (800V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **TO-220 Package for Easy Mounting**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.