800V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRFBE30S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRFBE30S  
### **Type:** N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 12A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5Ω (at V_GS = 10V, I_D = 1.5A)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 50pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 10pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Description:**  
The IRFBE30S is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It is optimized for fast switching performance and low gate charge, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-voltage circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (800V)**  
- **Low Gate Charge**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low On-Resistance**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-220AB Package**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.