IRFBE30L

800V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRFBE30L is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.025Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
The IRFBE30L is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and high current handling, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High current capability (30A continuous, 120A pulsed)  
- Fast switching performance  
- Avalanche energy rated for ruggedness  
- Improved dv/dt capability  
- TO-220AB package for easy mounting and heat dissipation  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed application notes, refer to the official IR documentation.

800V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package