800V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package **Part Number:** IRFBE30  
**Manufacturer:** IR (International Rectifier)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 12.8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 60pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 15pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
The IRFBE30 is an N-Channel MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is suitable for power supplies, motor control, and other switching circuits requiring efficient performance.  

### **Features:**  
- High-voltage capability (800V)  
- Low gate charge  
- Fast switching speed  
- Avalanche energy specified  
- Improved dv/dt capability  
- TO-220 package for easy mounting and heat dissipation