800V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFBE30 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are the specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 12A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 100pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFBE30 is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is suitable for use in power supplies, motor control, and other switching circuits requiring efficient performance.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (800V)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-220 Package for Easy Mounting**  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official IR documentation.