IRFBE30..

800V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFBE30 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 13A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFBE30 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features fast switching speeds, low gate charge, and high ruggedness, making it suitable for use in power supplies, inverters, and motor control circuits.

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (800V)**  
- **Low Gate Charge**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-220 Package for Easy Mounting**  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to the official IRFBE30 datasheet.

800V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package