600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRFBC40S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.2A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 24A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 110pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 65ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
- The IRFBC40S is a high-voltage, fast-switching N-Channel MOSFET designed for power applications.  
- It is optimized for high efficiency and reliability in switching power supplies, motor control, and other high-voltage circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V V_DSS  
- **Fast Switching Speed:** Low gate charge for improved efficiency.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **TO-220AB Package:** Provides good thermal performance.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.