600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFBC40LCPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRFBC40LCPBF is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for efficiency and reliability in power management circuits.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.2A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 24A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 680pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 110pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 14ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 55ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typical)  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed power switching applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Low On-Resistance:** Improves efficiency in power conversion.  
- **TO-220AB Package:** Provides efficient thermal dissipation.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.