600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRFBC30AS is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 12A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.7Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 35ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typical)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Voltage MOSFET:** Designed for high-voltage switching applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching performance.  
- **Low Gate Charge:** Helps reduce switching losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in inductive load applications.  
- **TO-220AB Package:** Standard through-hole package for easy mounting.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, inverters, and other high-voltage switching circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.