600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFBC20 is a power MOSFET from International Rectifier (IR). Here are its key specifications, descriptions, and features from the manufacturer:

### **Manufacturer Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRFBC20  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** TO-220AB  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.2A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 12.8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V to 4.0V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 14ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFBC20 is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features fast switching speeds, low gate charge, and high ruggedness, making it suitable for inverters, power supplies, and motor control circuits.

### **Key Features:**  
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low On-Resistance (3.0Ω max)**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **TO-220 Package for Easy Mounting**  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRFBC20. For detailed application guidelines, refer to the official documentation.