500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Super 220 (TO-273AA) package The IRFBA22N50A is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 500V  
- **Current Rating (I_D):** 22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 4V (typical)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.22Ω (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFBA22N50A is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for efficiency and reliability in power conversion circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 500V breakdown voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **TO-220AB Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Super 220 (TO-273AA) package