IRFBA1405P

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Super 220 (TO-273AA) package The IRFBA1405P is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on the available knowledge base:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 140A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 560A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (typical) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 6300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1800pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 240pF (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  

### **Description:**  
The IRFBA1405P is a high-current, low-on-resistance N-channel power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low-voltage, high-current applications such as motor drives, power supplies, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Handling:** Supports up to 140A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Provides robustness in rugged environments.  
- **TO-220AB Package:** Industry-standard package for easy mounting and heat dissipation.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed performance curves and application notes, refer to the official Infineon datasheet.

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Super 220 (TO-273AA) package