IRFB9N60APBF

600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB9N60APBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.8Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IRFB9N60APBF is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- It is optimized for efficiency in power supplies, motor control, and other switching circuits.  
- The device is housed in a TO-220AB package for easy mounting and heat dissipation.  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Low gate charge and low R_DS(on) for efficient performance.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in high-energy applications.  
- **Improved dv/dt Capability:** Enhances reliability in high-speed switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly design.  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet and technical documentation.

600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package