100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB4710PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 23mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 120nC (typical at V_DS = 50V, I_D = 75A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFB4710PBF is a N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and ruggedness for demanding power applications such as motor drives, power supplies, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Optimized for high current handling and low conduction losses.  
- **Low R_DS(on):** Minimizes power dissipation.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in harsh conditions.  
- **TO-220AB Package:** Industry-standard package for easy mounting and heat dissipation.  

For detailed specifications, refer to the official Infineon datasheet.