100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB4710 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's data:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.027Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 40A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 850pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 120pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 45ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 65ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRFB4710 is an N-channel power MOSFET designed for high-current, high-voltage applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Avalanche energy specified  
- Improved dv/dt capability  
- 100% tested for R_DS(on)  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRFB4710.