150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB4321PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 120nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4400pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance for improved efficiency.  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® technology.  
- Low gate charge for high-frequency operation.  
- Avalanche energy rated for ruggedness.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRFB4321PBF.