100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB4310ZPBF is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 7.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 110nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
- The IRFB4310ZPBF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in inductive load switching.  
- **Fully Characterized Dynamic Parameters:** Provides reliable performance in switching applications.  
- **TO-220AB Package:** Industry-standard package for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the IRFB4310ZPBF.