HEXFET Power MOSFET The IRFB4310 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are the specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.3mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The IRFB4310 is a **N-channel** Power MOSFET designed for high-power switching applications.  
- It is part of IR’s **HEXFET®** series, known for low on-resistance and high efficiency.  
- The device is optimized for **switching power supplies, motor controls, and DC-DC converters**.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load conditions.  
- **TO-220AB Package** for easy mounting and heat dissipation.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance** to ensure reliable operation in switching circuits.  

This information is based solely on manufacturer datasheets and technical documentation.