IRFB42N20D

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package **Manufacturer:**  
- **IRFB42N20D** is manufactured by **International Rectifier (IR)**.

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 168A  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.042Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3600pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Switching Speed:** Fast  
- **Package:** TO-220AB  

**Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance for improved efficiency.  
- Robust and reliable construction for demanding environments.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power supplies.  
- Avalanche energy rated for ruggedness in inductive load applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

(Note: Always verify datasheet details for exact specifications.)

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package