250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET PDP Switch in a TO-220AB package The IRFB4229PBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 120A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 480A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W @ 25°C  
- **R_DS(on) (Max):** 3.5mΩ @ V_GS = 10V  
- **R_DS(on) (Max):** 4.5mΩ @ V_GS = 4.5V  
- **Total Gate Charge (Q_G):** 170nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 7100pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 210pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 22ns  
- **Rise Time (t_r):** 70ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 70ns  
- **Fall Time (t_f):** 40ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRFB4229PBF is a high-performance N-channel power MOSFET designed for applications requiring high current handling, low on-state resistance, and fast switching speeds. It is suitable for power supplies, motor control, and other high-power switching applications.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability  
- Fast switching performance  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet and technical documentation.