250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET PDP Switch in a TO-220AB package The IRFB4229 is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** IRFB4229  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 250 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 78 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 310 A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 19 mΩ (max at V_GS = 10 V)  
- **Power Dissipation (P_D):** 330 W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- The IRFB4229 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It utilizes Vishay's HEXFET® technology for low on-resistance and high efficiency.  
- Suitable for high-current, high-voltage applications such as motor control, power supplies, and inverters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **High Current Capability:** Supports high continuous and pulsed currents.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in demanding conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Enhances reliability in switching applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.