100V Single N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB4212 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 96A @ 25°C, 68A @ 100°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 380A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W @ 25°C  
- **R_DS(on) (Max):** 4.5mΩ @ V_GS = 10V, 6.0mΩ @ V_GS = 4.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 170nC (Typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 7200pF (Typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF (Typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (Typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (Typ)  
- **Rise Time (t_r):** 50ns (Typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (Typ)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (Typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The IRFB4212 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-state resistance (R_DS(on)), fast switching speeds, and high current-handling capability, making it suitable for high-efficiency power conversion systems.

### **Features:**
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency in high-frequency applications.  
- **High Current Capability** for robust power handling.  
- **Avalanche Energy Rated** for reliable operation under transient conditions.  
- **TO-220AB Package** for easy mounting and thermal management.  
- **Optimized for Synchronous Rectification** in DC-DC converters.  

These details are sourced from the manufacturer's official datasheet. For further technical information, refer to the IRFB4212 datasheet.