150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB41N15D is an N-channel MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 41A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.042Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2700pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 90pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Operating Junction Temperature Range (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The IRFB41N15D is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for high-efficiency power conversion systems, motor drives, and other industrial applications.

### **Features:**
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed for improved efficiency  
- High current handling capability  
- Robust and reliable performance in harsh environments  
- TO-220AB package for easy mounting and heat dissipation  

This information is based strictly on manufacturer-provided data.