150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free Halogen Free TO-220AB package The IRFB4115G is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRFB4115G  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** TO-220AB  

### **Electrical Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 104A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 390A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.0mΩ @ V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 180nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 170pF  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W @ 25°C  

### **Thermal Specifications:**
- **Junction-to-Case Thermal Resistance (R_θJC):** 0.45°C/W  
- **Junction-to-Ambient Thermal Resistance (R_θJA):** 40°C/W  

### **Descriptions & Features:**
- **Advanced HEXFET® Technology:** Provides high efficiency and reliability.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in harsh conditions.  
- **Fully Characterized Dynamic Parameters:** Ensures predictable performance.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the IRFB4115G Power MOSFET.