200V Single N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB4020PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRFB4020PBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W @ 25°C  
- **R_DS(on) (Max):** 0.075Ω @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRFB4020PBF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-state resistance and fast switching characteristics, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- Low gate charge  
- Fast switching speed  
- High current capability  
- Low R_DS(on)  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche ruggedness  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.