150V Single N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB4019PBF is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 180A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 720A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 830W @ 25°C  
- **R_DS(on) (Max):** 3.7mΩ @ V_GS = 10V  
- **R_DS(on) (Max):** 4.5mΩ @ V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (Min), 4V (Max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 9200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 3500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The IRFB4019PBF is a high-current, low-on-resistance N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for high-performance motor drives, power supplies, and DC-DC converters.

### **Features:**
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **High Current Handling** capability (180A continuous, 720A pulsed).  
- **Fast Switching Speed** for efficient power conversion.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load applications.  
- **TO-220AB Package** for easy mounting and thermal management.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant.**  

This MOSFET is suitable for high-power applications requiring efficient switching and low power dissipation.