150V Single N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB4019 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.023Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 50ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFB4019 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion in motor drives, inverters, and switching power supplies.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Avalanche energy rated  
- Improved dv/dt capability  
- TO-220AB package for easy mounting and heat dissipation  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and specifications.