200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB38N20DPBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRFB38N20DPBF  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 38A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 152A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.085Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 100nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3900pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
The IRFB38N20DPBF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current handling capability, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching performance.  
- **High Current Capability:** Supports high continuous and pulsed current loads.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in harsh conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to voltage transients.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.