200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB38N20D is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's data:

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 38A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 152A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W @ 25°C  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.065Ω @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 4V (min)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  

### **Description:**  
The IRFB38N20D is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for low conduction losses.  
- **Low Gate Charge** for improved switching efficiency.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in harsh conditions.  
- **Fully Characterized for Dynamic dV/dt** performance.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant.**  

The device is packaged in a TO-220AB through-hole package for easy mounting and thermal management.  

(Note: Always refer to the latest datasheet for precise details.)

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package