60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB3806PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 180A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 720A  
- **Power Dissipation (P_D):** 580W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.3mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 210nC (typical at V_DS = 50V, I_D = 180A)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  
- **Technology:** N-Channel HEXFET® Power MOSFET  
- **Application:** High-power switching applications, motor control, power supplies, and DC-DC converters.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to voltage spikes.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.