75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB3607PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRFB3607PBF  

### **Description:**  
N-Channel Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 82A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 330A  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.7mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 150nC (typical at V_DS = 50V, I_D = 82A)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 8400pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 1.1J (tested)  

### **Features:**  
- Advanced Process Technology  
- Low On-Resistance (R_DS(on))  
- Fast Switching Performance  
- High Current Handling Capability  
- Improved dv/dt Capability  
- 100% Avalanche Tested  
- Lead-Free & RoHS Compliant  

### **Package:**  
TO-220AB  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Supplies  
- Synchronous Rectification  
- High-Efficiency Switching Circuits  

This information is sourced directly from the manufacturer's datasheet.

75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package