75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB3607 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 82A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 330A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 150nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 7500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1400pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 130pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
- The IRFB3607 is a **N-channel** power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It features **low on-resistance** and **fast switching speeds**, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® technology** for high performance and reliability.  
- **Low gate charge** for reduced switching losses.  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness in harsh conditions.  
- **Lead-free and RoHS compliant** for environmental safety.  
- **TO-220AB package** for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.