75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB3507PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRFB3507PBF  

### **Description:**  
The IRFB3507PBF is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is part of Infineon's HEXFET® power MOSFET series, optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 110A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 440A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W @ 25°C  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ @ V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 170nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 280pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Rise Time (t_r):** 45ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  

### **Package:**  
TO-220AB (Through-Hole)  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **High Current Handling:** Supports up to 110A continuous current.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces false triggering risks.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.