HEXFET Power MOSFET The IRFB3507 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the specifications, descriptions, and features based on the factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 78A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 310A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 110nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3700pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
The IRFB3507 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for high-efficiency power conversion in various electronic systems.  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability  
- Avalanche energy specified  
- Improved dv/dt capability  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.