150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB33N15DPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRFB33N15DPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 33A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 132A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**
- The IRFB33N15DPBF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for high-efficiency power conversion.  
- The device is optimized for fast switching and rugged performance in industrial, automotive, and power supply applications.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency by minimizing conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Improves performance in high-frequency applications.  
- **High Current Capability:** Supports high-power applications with a continuous drain current of 33A.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in harsh operating conditions.  
- **TO-220 Package:** Ensures good thermal performance and ease of mounting.  

This MOSFET is commonly used in DC-DC converters, motor control, and power management circuits.