60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB3306PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 120A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 480A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.3mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 60A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 120nC (typical at V_DS = 48V, I_D = 60A, V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4500pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFB3306PBF is a high-current, low-on-resistance N-channel power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is housed in a TO-220 package, making it suitable for various power management and motor control applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This MOSFET is commonly used in DC-DC converters, motor drives, and power supply applications.