60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free Halogen Free TO-220AB package The IRFB3306GPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer:

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRFB3306GPBF  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 120A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 480A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 140nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 250pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 14ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 33ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 52ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 22ns (typical)  

### **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  

### **Description:**  
The IRFB3306GPBF is a high-current N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for motor control, power supplies, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching speed  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet. For detailed application guidelines, refer to the official documentation.

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free Halogen Free TO-220AB package