60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB3306 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 120A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 480A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.3mΩ (typical at V_GS = 10V)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 170nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 160pF  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 1.5J  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
The IRFB3306 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for high-efficiency power conversion in motor drives, DC-DC converters, and other power management systems.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability  
- Fast switching performance  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche energy rated  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.