75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB3207ZPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRFB3207ZPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 210A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 840A  
- **Power Dissipation (P_D):** 580W @ 25°C  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) – 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 10400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 4200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 400pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 70ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRFB3207ZPBF is a high-current, low-on-resistance N-channel MOSFET designed for power management applications. It is optimized for high efficiency and fast switching performance in DC-DC converters, motor control, and other power electronics systems.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Minimizes conduction losses.  
- **High Current Handling:** Supports up to 210A continuous current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **TO-220 Package:** Provides mechanical durability and thermal efficiency.  

This information is based on Infineon’s datasheet for the IRFB3207ZPBF.