75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB3207ZGPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 195A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 780A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 580W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 98A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 10400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 3700pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 690pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263-3 (D²PAK)  

### **Description:**
The IRFB3207ZGPBF is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance, high current handling, and fast switching capabilities, making it suitable for high-efficiency power conversion systems.

### **Features:**
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability for robust performance  
- Fast switching speed for improved efficiency  
- Optimized for synchronous rectification in DC-DC converters  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Avalanche energy specified for ruggedness  

This MOSFET is commonly used in applications such as motor control, power supplies, inverters, and DC-DC converters.