75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB3207ZG is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IR).  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 120A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 480A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_G):** 130nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF (typical)  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-current, high-efficiency switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Robust and reliable for industrial and automotive applications.  
- Avalanche energy rated for ruggedness.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, and DC-DC converters.