75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB3207Z is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRFB3207Z  

### **Description:**  
The IRFB3207Z is a **N-channel Power MOSFET** designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other power management applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 210A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 840A  
- **Power Dissipation (P_D):** 580W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 220nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 10400pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 2800pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 450pF (typical)  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 1.2J (single pulse)  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications.  
- **High Current Handling** capability.  
- **Avalanche Rated** for ruggedness in harsh conditions.  
- **TO-220 Package** for easy mounting and heat dissipation.  
- **Optimized for Synchronous Rectification** in DC-DC converters.  

This information is sourced from the manufacturer's official datasheet. For detailed application notes and thermal characteristics, refer to the original documentation.