HEXFET Power MOSFET The IRFB3207 is a Power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 180A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 720A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 580W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 210nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 8400pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The IRFB3207 is a high-current N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and high-speed switching performance, making it suitable for motor control, power supplies, and DC-DC converters.

### **Features:**
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching speed  
- Robust and reliable performance in high-power applications  
- TO-220AB package for efficient thermal management  

This information is based on Vishay’s datasheet for the IRFB3207. For detailed application notes or additional parameters, refer to the official documentation.