HEXFET Power MOSFET The IRFB3207 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRFB3207  

### **Key Specifications:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 180A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 720A  
- **R_DS(on) (Max):** 2.3mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 580W @ 25°C  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRFB3207 is a high-performance N-channel power MOSFET designed for applications requiring low on-state resistance and high current handling. It is part of IR's HEXFET family, optimized for efficiency in power switching applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching speed  
- High current capability  
- Robust and reliable HEXFET technology  
- Avalanche energy rated  
- Optimized for synchronous rectification in DC-DC converters  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power supplies  
- High-current switching circuits  

For detailed performance curves and additional parameters, refer to the official IR datasheet.