60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB3206PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 130A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 520A  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W @ 25°C  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.2mΩ @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 150nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 290pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRFB3206PBF is an N-channel power MOSFET designed for high-current, high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in motor control, DC-DC converters, and other high-power applications.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **High current handling capability**  
- **Fast switching speed**  
- **Avalanche energy rated**  
- **Improved dv/dt capability**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.