200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB31N20DPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 31A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 124A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.065Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFB31N20DPBF is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is part of Infineon’s HEXFET® series, optimized for low conduction losses and fast switching performance.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced power dissipation.  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive load conditions.  
- **Fully Characterized for Dynamic dV/dt Ratings** for reliable performance.  
- **TO-220AB Package** for easy mounting and thermal management.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

(Data sourced from Infineon’s official documentation.)